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| 一种新型阳极氧化多孔硅技术 | |
| 作者姓名： | 陈松岩 蔡贝妮 黄燕华 蔡加法 |
| 作者单位： | 1.厦门大学物理与机电工程学院,福建 厦门,361005 |
| 基金项目： | 国家重点自然科学基金资助项目(60336010) |
| 摘 要： | 在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,发现氧化使多孔硅光致发光性质得到极大改善,进而研究了氧化电流、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响,并给出了合理解释.实验发现,在1mA,10min,60℃的氧化条件下,采用阳极氧化技术使多孔硅发光强度增强了18倍. |
| 关 键 词： | 多孔硅(PS) 湿法氧化 光致发光(PL) |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)05-0561-06 |
| 收稿时间： | 2004-01-17 |
| 修稿时间： | 2004-01-17 |
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