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| N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长 | |
| 作者姓名： | 李亮 罗伟科 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 |
| 作者单位： | 1.南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京,210016 |
| 基金项目： | 江苏省科技支撑计划(BE2010006)资助项目 |
| 摘 要： | 采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积 |
| 收稿时间： | 2013-07-04 |
| 修稿时间： | 2013-08-07 |
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