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半导体材料及纯金属中气体分析
引用本文:何焕南,赵关弟.半导体材料及纯金属中气体分析[J].分析试验室,1985(5).
作者姓名:何焕南  赵关弟
作者单位:中国科学院上海冶金研究所 (何焕南),中国科学院上海冶金研究所(赵关弟)
摘    要:无论是半导体材料或纯金属,在制备和加工过程中都不可避免与气体接触,因此甚至在超纯材料中也会有痕量气体。本文论及的气体除氢、氧、氮外还包括碳,这些元素对材料的物理性能与机械性能有很大的影响。随着近代工业和尖端技术的飞跃发展,测定它们的含量和存在形式日益显得重要。本综述是根据1980年以来已发表的文献和专著中有关半导体和纯金属气体分析的主要资料撰写的。作者深感要提高分析的准确度和精度必须充分认识仪器和分析方法本身存在着的系统误差。正如E.Grallath所指出的那样,系统误差可以表现在分析方法的每一个步骤,即从取样、试样的制备、试样的分解、

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