| FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2 |
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| 引用本文： | 杨 帅,李养贤,马巧云,徐学文,牛萍娟,李永章,牛胜利,李洪涛.FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2[J].物理学报,2005,54(5):2256-2260. |
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| 作者姓名： | 杨 帅 李养贤 马巧云 徐学文 牛萍娟 李永章 牛胜利 李洪涛 |
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| 作者单位： | 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130;河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130;河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130;河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130;天津工业大学信息与通信学院，天津 300160;中国原子能科学研究院，北京 102413;中国原子能科学研究院，北京 102413;中国原子能科学研究院，北京 102413 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：50032010，50472034)和河北省自然科学基金重点项目(批准号 ：601047，E2005000048)资助的课题. |
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| 摘 要： | 快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后，空位_双氧复合体(VO2)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后，IR光谱中有919．6cm-1和 1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1)出现，这两个IR吸收 峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度，都 会使(O -V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级，经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO2被抑制.
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| 关 键 词： | 快中子辐照， 辐照缺陷， 直拉硅， VO2， A中心 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(05)2256-05 |
| 修稿时间： | 2004年10月18 |
FTIR study an VO2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon |
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| Yang Shuai,Li Yang-Xian,Ma Qiao-Yun,Xu Xue-Wen,Niu Ping-Juan,Li Yong-Zhang,Niu Sheng-Li and Li Hong-Tao.FTIR study an VO2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon[J].Acta Physica Sinica,2005,54(5):2256-2260. |
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| Authors: | Yang Shuai Li Yang-Xian Ma Qiao-Yun Xu Xue-Wen Niu Ping-Juan Li Yong-Zhang Niu Sheng-Li and Li Hong-Tao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fast neutron irradiation irradiated defects Czochralski silicon VO2 A center |
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