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| 硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究 | |
| 引用本文： | 赵子强.硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究[J].原子核物理评论,2002,19(Z1):98-101. |
| 作者姓名： | 赵子强 |
| 作者单位： | 北京大学物理学院重离子物理研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(19735004) |
| 摘 要： | 利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在. |
| 关 键 词： | 团簇离子 光吸收谱 团簇区 |
| 文章编号： | 1007-4627(2002)增刊-0098-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月27日 |
Implantation Study of Silicon Cluster Ions Si+n(n=1-3)Into Si Crystal |
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