首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      


Localization phenomena of topochemical reactions
Authors:E A Prodan
Institution:(1) Institute of general and inorganic chemistry of the academy of sciences of the BSSR, Minsk, USSR
Abstract:Typical localization forms of topochemical reactions taking place on the surface and inside a crystal have been compared. A kinetic model of triclinic crystal decomposition, which in contrast to known models takes into account that crystal faces react non-simultaneously, has been studied. It has been shown that depending on the value of the induction period that precedes entry of the crystal face into the reaction, and on the ratio of the linear velocities of interface advance in different directions, the decomposition may proceed without self-acceleration, or with one-fold or multi-fold self-acceleration.
Zusammenfassung Typische Lokalisationsformen topochemischer, auf der OberflÄche und im Kristallinneren verlaufender Reaktionen werden zusammenfassend dargestellt. Das kinetische Modell der Zersetzung von triklinen Kristallen, das im Gegensatz zu bekannten Modellen die nicht gleichzeitig verlaufenden Reaktionen der einzelnen KristallflÄchen berücksichtigt, wird untersucht. Es wird gezeigt, da\ abhÄngig von der LÄnge der dem Start der Reaktion an den einzelnen KristallflÄchen vorausgehenden Induktionsperiode und von der linearen Geschwindigkeit des Fortschreitens der GrenzflÄche in verschiedene Richtungen die Zersetzung ohne oder mit einfacher oder vielfacher Selbsbeschleunigung verlaufen kann.

RcyIEcyzhcyUcyMcyIEcy scyOcypcyOcyscytcyAcyVcylcyIEcyNcyycy tcyIcypcyIcyCHcyNcy ycyIEcy FcyOcyRcyMcyycy lcyOcykcyAcylcyIcyzhcyAcytscyIcyIcy tcyOcypcyOcykhcyIcyMcyIcyCHcyIEcyscykcyIcykhcy RcyIEcyAcykcy tscyIcyIcy, pcyRcyOcytcyIEcykcyAcyUcySHCHcyIcykhcy NcyAcy pcyOcyVcyIEcyRcykhcyNcyOcyscytcyIcy Icy Vcy OcyBcySHCHcy IEcyMcyIEcy kcyRcyIcyscytcyAcylcylcyAcy. IcyscyscylcyIEcyDcy OcyVcyAcyNcyAcy kcyIcyNcyIEcytcyIcyCHcyIEcyscykcyAcysoftcy McyOcyDcyIEcylcysoftcy RcyAcyzhcylcyOcyzhcyIEcy NcyIcysoftcy tcyRcyIcykcylcyIcyNcyNcyOcygcyOcy kcyRcyIcyscy tcyAcylcylcyAcy, kcyOcytcyOcyRcyAcysoftcy Vcy OcytcylcyIcyCHcy IcyIEcy Ocytcy IcyzhcyVcyIEcyscytcyNcyycykhcy McyOcyDcyIEcylcyIEcyIcy UcyCHcy IcytcyycyVcyAcyIEcytcy NcyIEcyOcyDcyNcyOcyVcyRcyIEcyMcyIEcy NcyNcyOcyIEcy VcyscytcyUcypcylcyIEcyNcyIcyIEcy IEcygcyOcy gcyRcyAcyNcyIEcy Icy Vcy RcyIEcyAcykcytscyIcyUcy. pcyOcykcyAcyzhcyAcyNcyOcy, CHcy tcyOcy Vcy zhcyAcyVcyIcyscyIcyMcyOcyscytcyIcy Ocytcy VcyIEcylcyIcyCHcy IcyNcyycy IcyNcyDcyUcykcytscyIcyOcyNcyNcyOcygcyOcy pcyIEcyRcyIcyOcy DcyAcy, pcyRcyIEcyDcyshcyIEcyscytcyVcyUcyUcySHCHcyIEcygcyOcy Vcy scytcyUcypcylcyIEcyNcyIcyUcy gcyRcyAcyNcyIcy Vcy RcyIEcyAcykcytscyIcyUcy, Icy scyOcyOcytcy NcyOcyshcyIEcyNcyIcysoftcy lcyIcyNcyIEcyIcyNcyycykhcy scykcyOcyRcyOcyscytcyIEcyIcy pcy RcyOcyDcyVcyIcyzhcyIEcyNcyIcysoftcy pcyOcyVcyIEcyRcykhcyNcyOcy scytcyIcy RcyAcyzhcyDcyIEcylcyAcy Vcy RcyAcyzhcyNcyycykhcy NcyAcypcyRcyAcyVcylcyIEcyNcyIcysoftcykhcy RcyAcyzhcylcyOcyzhcyIEcyNcyIcyIEcy VcyOcyzhcyMcyOcyzhcyNcyOcy BcyIEcyzhcy scyAcyMcyOcyUcyscykcy OcyRcyIEcyNcyIcysoftcy, scy OcyDcyNcyOcykcyRcyAcytcyNcyycyMcy IcylcyIcy McyNcyOcygcyOcykcyRcyAcytcyNcyycyMcy scyAcyMcyOcyUcyscy kcyOcyRcyIEcyNcyIcyIEcyMcy.
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号