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| AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射 | |
| 作者姓名： | 张雪冰 刘乃漳 姚若河 |
| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划 批准号:2018YFB1802100;广东省重点领域研发计划 批准号:2019B010143003 资助的课题~~; |
| 摘 要： | Al Ga N/Ga N界面处的二维电子气迁移率是描述高电子迁移率晶体管特性的一个重要参数,极化光学声子散射是高温时限制二维电子气迁移率的主要散射机制.本文对极化光学声子散射进行计算,结果表明在二维电子气浓度为6×1011—1×1013 cm–2,温度为200—400 K范围内,极化光学声子散射因素决定的迁移率随温度的变化近似为μPO=AT-α（α=3.5）;由于Ga N中光学声子能量较大,吸收声子对迁移率的影响远大于发射声子的影响.进一步讨论了极化光学声子散射因素决定的迁移率随光学声子能量变化的趋势,表明增加极化光学声子能量可提高二维电子气的室温迁移率. |
| 关 键 词： | 二维电子气 极化光学声子散射 高温迁移率 光学声子能量 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |