|
|||||
|
|
| 基于重离子试验数据预测纳米加固静态随机存储器质子单粒子效应敏感性 | |
| 作者姓名： | Wojtek Hajdas 张凤祁 罗尹虹 郭红霞 |
| 摘 要： | 为实现对纳米DICE (dual interlocked cell)加固器件抗质子单粒子能力的准确评估,通过对65 nm双DICE加固静态随机存储器(static random access memory,SRAM)重离子单粒子翻转试验数据的分析,获取了其在重离子垂直和倾角入射时的单粒子翻转(single event ... |
| 关 键 词： | 双双互锁存储单元加固 单粒子翻转 质子 最劣方位角 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |