| Parity-time对称性对电注入半导体激光器的模式控制 |
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| 引用本文： | 王学友,王宇飞,郑婉华.Parity-time对称性对电注入半导体激光器的模式控制[J].物理学报,2020(2):103-108. |
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| 作者姓名： | 王学友 王宇飞 郑婉华 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;中国科学院大学未来技术学院;中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0401804,2016YFB0401003,2016YFA0301102);国家自然科学基金(批准号:91850206,61535013)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 非厄米的描述对于开放系统有重要意义,满足parity-time对称性的哈密顿量,其参数在一定范围内可以使能量具有实的本征值.本文通过模拟,研究了损耗大小以及结构对称性对条形波导中的parity-time对称性的影响,并通过实验发现了电注入条件下由parity-time对称破缺导致的脊条波导模式间隔加倍、模式数减半的现象.
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| 关 键 词： | parity-time对称性 电注入 半导体激光器 模式控制 |
Mode control of electrically injected semiconductor laser with parity-time symmetry |
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| Wang Xue-You,Wang Yu-Fei,Zheng Wan-Hua.Mode control of electrically injected semiconductor laser with parity-time symmetry[J].Acta Physica Sinica,2020(2):103-108. |
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| Authors: | Wang Xue-You Wang Yu-Fei Zheng Wan-Hua |
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| Institution: | (The CAS Key Laboratory of Solid State Optoelectronics Information Technology,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;College of Materials Science and Opto-Electronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Future Technology,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 101408,China;The State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | parity-time symmetry electric injection semiconductor laser mode control |
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