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| Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究 | |
| 作者姓名： | 邹文琴 路忠林 王申 刘圆 陆路 郦莉 张凤鸣 都有为 |
| 作者单位： | (1)东南大学物理系,南京 210096; (2)南京大学物理系,固体微结构物理国家实验室,南京 210093 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 （批准号: 10804017, 50802041）和教育部新世纪优秀人才支持计划（批准号： NCET-05-0452）资助的课题. |
| 摘 要： | 使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23 μB—0.61 μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.
关键词：
磁性半导体
受主掺杂
空穴媒介的铁磁性 |
| 关 键 词： | 磁性半导体 受主掺杂 空穴媒介的铁磁性 |
| 收稿时间： | 2008-11-21 |
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