| 工业晶体生长 |
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| 引用本文： | 徐家跃.工业晶体生长[J].人工晶体学报,2009,38(3). |
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| 作者姓名： | 徐家跃 |
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| 作者单位： | 上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海200235;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向.
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| 关 键 词： | 晶体生长 提拉法 水热法 下降法 模拟 |
Industrial Crystal Growth |
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| XU Jia-yue.Industrial Crystal Growth[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(3). |
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| Authors: | XU Jia-yue |
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| Institution: | 1.School of Materials Science and Engineering;Shanghai Institute of Technology;Shanghai 200235;China;2.Shanghai Institute of Ceramics;Chinese Academy of Sciences;Shanghai 200050;China |
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| Abstract: | In this paper,some cases of industrial crystal growth,such as Czochralski growth of silicon crystals,hydrothermal growth of quartz,VGF growth of GaAs,Bridgman growth of bismuth germinate,skull melting growth of cubic zirconia crystals are given.The characteristics of the industrial crystal growth were discussed also. |
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| Keywords: | crystal growth Czochralski method hydrothermal method Bridgman method simulation |
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