| 低位错ZnSe单晶的生长 |
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| 引用本文： | 张旭,李卫,张力强,丁进,王坤. 低位错ZnSe单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 385-387 |
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| 作者姓名： | 张旭 李卫 张力强 丁进 王坤 |
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| 作者单位： | 人工晶体研究院,北京,100018;人工晶体研究院,北京,100018;人工晶体研究院,北京,100018;人工晶体研究院,北京,100018;人工晶体研究院,北京,100018 |
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| 基金项目： | 国家863计划(No.2002AA325030)资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70;,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.
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| 关 键 词： | ZnSe单晶 化学气相输运 位错密度 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）02-0385-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-17 |
| 修稿时间： | 2005-08-17 |
Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations |
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| ZHANG Xu,LI Wei,ZHANG Li-qiang,DING Jin,WANG Kun. Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 385-387 |
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| Authors: | ZHANG Xu LI Wei ZHANG Li-qiang DING Jin WANG Kun |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ZnSe single crystal chemical vapor transportation dislocation density |
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