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| Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面与c方向电阻率的比较 | |
| 作者姓名： | 王建彬 杨宏顺 陈旭东 刘剑 孙成海 高慧贤 成路 曹烈兆 |
| 作者单位： | [1]中国科学技术大学结构分析开放实验室 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026 |
| 摘 要： | 本文通过对Nd（1.85）Ce（0.15）CuO（4±δ）单晶ab面（ρab）和c方向电阻率（ρc）的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比（ρc-ρc0）/（ρab-ρab0）存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存在弱的温度依赖赖关系,这是由于ρc与ρab中都同时有一次方和二次方的温度依赖关系.我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释ρc和（ρc-ρc0）/（ρab-ρab0）. |
| 关 键 词： | 电阻率 双载流子 隧穿几率 |
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