用Pendellosung条纹研究硅单晶中微缺陷

以Ｘ射线衍射统计动力学为基础，讨论了一种用Ｘ射线截面形貌图测定静态ＤｅｂｙｅＷａｌｌｅｒ因子的方法。通过仔细分析截面形貌图中Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹振荡周期和强度的变化，得到了经热处理后的ＣＺ硅和ＭＣＡ硅单晶样品的Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子，并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸。这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径。