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| PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用 | |
| 引用本文： | 祖继锋 余宽豪. PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用[J]. 光学学报, 1995, 15(7): 13-916 |
| 作者姓名： | 祖继锋 余宽豪 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学应用物理系，中国科学院上海冶金研究所，辽宁师范大学物理系 |
| 基金项目： | 国家科委863高科技项目,辽宁省科委博士基金 |
| 摘 要： | 研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。 |
| 关 键 词： | 光互连 化学气相淀积 氮氧化硅 薄膜 |
| 收稿时间： | 1994-01-19 |
The Teclmology Control and Properties of PECVD SiON Filmsand Its Potential Applications |
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| Zu Jifeng,Geng Wanzhen,Hong Jing. The Teclmology Control and Properties of PECVD SiON Filmsand Its Potential Applications[J]. Acta Optica Sinica, 1995, 15(7): 13-916 | |
| Authors: | Zu Jifeng Geng Wanzhen Hong Jing |
| Abstract: | The technology control, structure and properties of PECVD SiON films and thepotential applications of thih film waveguides in optical interconnections for VLSI arediscussed in this peper. |
| Keywords: | optical waveguide optical interconnection plasma-enhanced chemicalvapor deposition. |
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