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| 固体C60/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应 | |
| 作者姓名： | 陈开茅 贾勇强 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 |
| 作者单位： | (1)北京大学化学系,北京100871; (2)北京大学物理系,北京100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
| 摘 要： | 研究了非掺杂固体C60与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C60/n-Si和C60/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的
关键词： |
| 关 键 词： | 碳60 硅 异质结 电学性质 能带 整流 |
| 收稿时间： | 1994-10-06 |
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