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| GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH3CSNH2/NH4OH处理 | |
| 作者姓名： | 陆尔东 徐彭寿 余小江 徐世红 潘海斌 张新夷 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230026 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 建立了一种硫钝化GaAs(100)表面的新方法,即CH3CSNH2/NH4OH溶液处理,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)表征了该钝化液处理的n-GaAs(100)表面的成键,特性和电子态.结果表明,经过处理的n-GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成S与GaAs的新界面,并且Ga和As的氧化物被移走,这标志着CH3CSNH2/NH4关键词： |
| 关 键 词： | 砷化镓 硫钝化 钝化液处理 |
| 收稿时间： | 1994-12-22 |
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