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Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收
引用本文:李标,褚君浩,常勇,桂永胜,汤定元.Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收[J].物理学报,1996,45(5):747-753.
作者姓名:李标  褚君浩  常勇  桂永胜  汤定元
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083
摘    要:讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词

关 键 词:HgCdTe  禁带  本征光吸收  红外材料
收稿时间:1995-01-24
修稿时间:8/8/1995 12:00:00 AM

INTRINSIC ABSORPTION OF Hg1-xCdx TE
LI BIAO,CHU JUN-HAO,CHANG YONG,GUI YONG-SHENG and TANG DING-YUAN.INTRINSIC ABSORPTION OF Hg1-xCdx TE[J].Acta Physica Sinica,1996,45(5):747-753.
Authors:LI BIAO  CHU JUN-HAO  CHANG YONG  GUI YONG-SHENG and TANG DING-YUAN
Abstract:The intrinsic absorption spectra of Hg1-xCdxTe semiconductor with energies above the band gap are presented by analyzing experimental results, Kane theory and some empirical laws. It is found that Anderson's theorical expression derived from the Kane model and Chu et al' s empirical rule obtained from the measured data agree well with the intrinsic optical absorption behaviour of Hg1-xCdxTe bulk thin films. Moreover, the intrinsic absorption of Hg1-xCdxTe epitaxial layer is discussed.
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