|
|||||
|
|
| 金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理 | |
| 作者姓名： | 李书平 王仁智 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系,厦门 361005 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（973）项目（批准号：001CB610505）、国家自然科学基金(批准号:90206030, 60376015, 10134030)、福建省自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 采用LMTO ASA能带计算方法,研究(Si2)3 (2Al) 6 (001),(Ge2)3 (2Al) 6 (001),(Ge2)3 (2Au) 6 (001)和(Ge2)3 (2Ag) 6 (001)超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理,结
关键词：
Schottky势垒
界面电荷 |
| 关 键 词： | Schottky势垒 界面电荷 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(09)/2925-06 |
| 收稿时间： | 2003-12-16 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |