| 三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元 |
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| 引用本文： | 张其震,殷晓颖,王艳.三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元[J].化学学报,2005,63(10):941-946,i004. |
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| 作者姓名： | 张其震 殷晓颖 王艳 |
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| 作者单位： | (山东大学 化学化工学院 环境科学与工程学院 济南 250100) |
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| 摘 要： | 报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc, 热回复异构化反应速率常数kH, 光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10－1 s－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10－8 s－1, 因此, D3的光响应速度比后者快107倍.
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| 关 键 词： | 光致变色液晶树状物 丁氧基偶氮苯介晶基元 碳硅烷 化学研究 端基 三代 反应速率常数 反应平衡常数 液晶聚硅氧烷 异构化反应 光异构化 新化合物 光化学 回复 活化能 异构体 转换率 速度比 光响应 溶液 |
| 收稿时间： | 2004-10-10 |
| 修稿时间： | 2005-1-24 |
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