晶闸管触发开通特性 |
| |
引用本文: | 郭帆, 何小平, 王海洋, 等. 晶闸管触发开通特性[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2483-2487. doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483 |
| |
作者姓名: | 郭帆 何小平 王海洋 贾伟 |
| |
作者单位: | 1.西安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 71 0049;;;2.西北核技术研究所, 西安 71 0024 |
| |
基金项目: | 国家高技术发展计划项目 |
| |
摘 要: | 从载流子的传输过程和载流子数密度两个方面分析了晶闸管触发开通过程,研究了强触发方式对晶闸管开通特性的影响。利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了晶闸管强触发电路,并通过晶闸管开通特性实验平台研究了触发条件和工作电压两个因素与晶闸管开通时间的关系。实验结果表明:晶闸管开通时间决定于触发方式和工作电压,强触发方式可以缩短延迟时间,高工作电压可以减小导通时间,利用强触发方式和提高工作电压能够有效地改善晶闸管的开通性能。
|
关 键 词: | 晶闸管 强触发方式 工作电压 开通特性 开通时间 |
收稿时间: | 2011-11-06 |
修稿时间: | 2012-04-10 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《强激光与粒子束》下载免费的PDF全文 |
|