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ZnO基紫外探测器研究进展
引用本文:邓宏,徐自强,谢娟,李燕,祖小涛,李言荣.ZnO基紫外探测器研究进展[J].物理,2006,35(7):595-598.
作者姓名:邓宏  徐自强  谢娟  李燕  祖小涛  李言荣
作者单位:1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
2. 电子科技大学物理电子学院,成都,610054
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);国家高技术研究发展计划(863计划);四川省应用基础研究计划
摘    要:近年来,直接带隙宽禁带半导体ZnO(3.37eV)以其优越的光电特性而成为紫外探测领域研究中的新热点。文章介绍了不同类型的ZnO基紫外光敏探测器的结构和性能,并对ZnO基紫外光敏探测器的最新研究进展和应用前景进行探讨和展望。

关 键 词:紫外探测器  量子效率  光响应度
收稿时间:2005-08-31
修稿时间:2005-08-312005-10-31

Research progress in ZnO-based UV detectors
DENG Hong,XU Zi-Qiang,XIE Juan,LI Yan,ZU Xiao-Tao,LI Yan-Rong.Research progress in ZnO-based UV detectors[J].Physics,2006,35(7):595-598.
Authors:DENG Hong  XU Zi-Qiang  XIE Juan  LI Yan  ZU Xiao-Tao  LI Yan-Rong
Institution:1. School of Microelectronics and Solid- State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054, China; 2. School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054, China
Abstract:Recently, ZnO has been regarded as a promising material for UV detectors due to its wide direct bandgap energy of 3.37 eV and excellent optical and electrical properties. We describe the structure and performance of various types of ZnO - based UV detectors, and present a detailed overview of the latest research progress in this field.
Keywords:ZnO
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