| 等离子体刻蚀工艺的物理基础 |
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| 引用本文： | 戴忠玲,毛明,王友年.等离子体刻蚀工艺的物理基础[J].物理,2006,35(8):693-698. |
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| 作者姓名： | 戴忠玲 毛明 王友年 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理系,三束材料表面改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机理的研究进展，综述了等离子体刻蚀机理的研究方法，着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性，特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体鞘层研究中的关键问题。
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| 关 键 词： | 等离子体 刻蚀 电容耦合放电 电感耦合放电 双频 鞘层 |
| 收稿时间： | 2006-01-10 |
| 修稿时间： | 2006-01-10 |
The physics of plasma etching |
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| DAI Zhong-Ling,MAO Ming,WANG You-Nian.The physics of plasma etching[J].Physics,2006,35(8):693-698. |
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| Authors: | DAI Zhong-Ling MAO Ming WANG You-Nian |
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| Institution: | State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Electron, and Ion Beams, Department of Physics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | The background and progress in the development ofplasma etching processes are reviewed. Studies of the mechanism of capacitively - and inductively - coupled discharges are discussed, especially the key problems of dual frequency capacitively - coupled discharge and plasma sheaths. |
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| Keywords: | plasma etching capacitively-coupled discharge inductively-coupled discharge dual frequency sheath |
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