| AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型 |
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| 作者姓名： | 郝跃 韩新伟 张进城 张金凤 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号：2002CB3119,513270407),国防科技重点实验室基金(批准号：51433040105DZ0102,51432030204DZ0101)资助的课题. |
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| 摘 要： | 通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.
关键词：
AlGaN/GaN HEMT
直流扫描
电流崩塌
模型
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 直流扫描 电流崩塌 模型 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55（07）/3622-07 |
| 收稿时间： | 2005-12-05 |
| 修稿时间： | 2005-12-052006-02-17 |
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