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| InSb(211)A,B表面电子结构特性 | |
| 引用本文： | 贾瑜,陈国剑,马丙现,胡行,顾华伟,李新建. InSb(211)A,B表面电子结构特性[J]. 物理学报, 2000, 49(2): 318-323 |
| 作者姓名： | 贾瑜 陈国剑 马丙现 胡行 顾华伟 李新建 |
| 作者单位： | (1)河南大学物理系,河南大学科研处,开封475001; (2)郑州大学物理工程学院,郑州450052 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金!(批准号 :9840 40 5 0 0 )资助的课题 |
| 摘 要： | 采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.关键词： |
| 关 键 词： | 锑化铟 半导体 表面 电子结构 |
| 收稿时间： | 1999-02-28 |
ELECTRONIC PROPERTIES OF InSb(211)A,B SURFACES |
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| JIA YU,CHEN GUO-JIAN,MA BING-XIAN,HU XING,GU HUA-WEI,LI XIN-JIAN. ELECTRONIC PROPERTIES OF InSb(211)A,B SURFACES[J]. Acta Physica Sinica, 2000, 49(2): 318-323 | |
| Authors: | JIA YU CHEN GUO-JIAN MA BING-XIAN HU XING GU HUA-WEI LI XIN-JIAN |
| Abstract: | Keywords： |
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