| Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱 |
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| 引用本文： | 张瑞智,罗晋生.Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱[J].光学学报,1997,17(7):70-873. |
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| 作者姓名： | 张瑞智 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电信学院 |
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| 摘 要： | 测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．０ｅＶ范围内
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| 关 键 词： | 椭偏光谱 介电函数 超晶格材料 半导体晶体 |
| 收稿时间： | 1996/3/28 |
Spectroscopic Ellipsometry of Strained Si/Ge Superlattices |
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| Zhang Ruizhi,Luo Jinsheng.Spectroscopic Ellipsometry of Strained Si/Ge Superlattices[J].Acta Optica Sinica,1997,17(7):70-873. |
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| Authors: | Zhang Ruizhi Luo Jinsheng |
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| Abstract: | The dielectric functions of the strained Si M/ Ge N superlattices have been measured by using spectroscopic ellipsometer in the 2.0～5.0 eV photon energy range. The observed results were analyzed by fitting the second derivative spectrum of the dielectric function. The new superlatticelike transitions are observed in addition to the typical E1 and E2 transitions. |
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| Keywords: | spectroscopic ellipsometry dielectric function superlattice |
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