| 掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 |
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| 引用本文： | 陈维德,陈长勇,卞留芳.掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质[J].发光学报,2005,26(5):647-650. |
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| 作者姓名： | 陈维德 陈长勇 卞留芳 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备含有纳米晶硅的SiO2（NCSO）和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅（a—SiOx：H）薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅（ncSi）和非晶纳米硅（a—n—Si）颗粒的基体中。利用IFS／20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自Be-Si在800nm的发光强度比来自a—SiOx：H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级，而来自a-SiOx：H在1．54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-SiOx：H薄膜中Si颗粒和Er^3＋的发光强度随退火温度的变化，结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Raman散射等的测量结果，进一步明确指出a-Si颗粒在Er^3＋的激发中可以起到和nc-Si同样的作用，即作为光吸收介质和敏化剂的作用。
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| 关 键 词： | 稀土 离子注入 纳米硅 富硅氧化硅 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）05-0647-04 |
| 收稿时间： | 2004-08-20 |
| 修稿时间： | 2005-02-21 |
Room-temperature Luminescence from Er-doped SiOx Films Containing Si Nanoparticles |
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| CHEN Wei-de, CHEN Chang-yong, BIAN Liu-fang ,.Room-temperature Luminescence from Er-doped SiOx Films Containing Si Nanoparticles[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(5):647-650. |
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| Authors: | CHEN Wei-de CHEN Chang-yong BIAN Liu-fang |
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| Institution: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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