Hot electron transport in semiconductors

A recently derived model for stationary flow of energy and charge carriers in semiconductors—consisting of a coupled system of nonlinear elliptic equations—is analysed by the methods of singular perturbation theory. This analysis reveals the solution structure and justifies a modified version of the standard drift-diffusion approximation for charge carrier flow.

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Zusammenfassung Ein kürzlich hergeleitetes Modell für stationären Energie- und Ladungsträgerfluß in Halbleitern—bestehend aus einem gekoppelten System von nichtlinearen elliptischen Gleichungen—wird mit Methoden der singulären Störungstheorie analysiert. Daraus ergeben sich Aussagen über die Lösungsstruktur und eine Rechtfertigung einer modifizierten Version der klassischen Konvektions-Diffusions-Approximation für den Ladungsträgerfluß.

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The work of the second author was supported by Österreichischer Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung.