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| 光敏电阻基本特性测量实验的设计 | |
| 引用本文： | 周红,杨卫群,沈学浩,杨文明,赵铁松. 光敏电阻基本特性测量实验的设计[J]. 物理实验, 2003, 23(11): 9-11 |
| 作者姓名： | 周红 杨卫群 沈学浩 杨文明 赵铁松 |
| 作者单位： | 上海交通大学物理系,上海,200240 |
| 摘 要： | 介绍了测量CdS光敏电阻的伏安特性和光照特性的实验方法，并给出了相应的实验结果。 |
| 关 键 词： | 光敏电阻 硫化镉 伏安特性 光照特性 光传感器 电子迁移率 实验设计 |
| 文章编号： | 1005-4642(2003)11-0009-03 |
Design of the experiment for measuring the basic characteristics of the photoresistance |
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| ZHOU Hong YANG Wei-qun SHEN Xue-hao YANG Wen-ming ZHAO Tie-song. Design of the experiment for measuring the basic characteristics of the photoresistance[J]. Physics Experimentation, 2003, 23(11): 9-11 | |
| Authors: | ZHOU Hong YANG Wei-qun SHEN Xue-hao YANG Wen-ming ZHAO Tie-song |
| Abstract: | The experimental methods for measuring the two basic characteristics of CdS photoresistance are introduced, i.e., the current-voltage characteristics and the current-irradiance characteristics, and the experimental results are given. |
| Keywords: | photoresistance current-voltage characteristics current-irradiance characteristics |
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