首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

氙灯泵浦新型晶体Nd:S—VAP调Q激光器腔内倍频研究
引用本文:赵圣之,孙连科.氙灯泵浦新型晶体Nd:S—VAP调Q激光器腔内倍频研究[J].光学学报,1996,16(12):690-1694.
作者姓名:赵圣之  孙连科
作者单位:赵圣之:山东大学光学系, 济南 250100
王青圃:山东大学光学系, 济南 250100
张行愚:山东大学光学系, 济南 250100
王松涛:山东大学光学系, 济南 250100
赵路:山东大学光学系, 济南 250100
孙连科:山东大学晶体所, 济南 250100
张少军:山东大学晶体所, 济南 250100
摘    要:采用氙灯泵浦晶体Nd:S-VAP,KTP晶体腔内倍频,实现了Nd:S-VAP晶体0.5325μm绿光激光BDN染料片调Q运转,测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度,给出染料片调Q腔内倍频的耦合波方程组,数值求解方程组,所得的理论数据与实验结果很好地相符。

关 键 词:晶体  腔内倍频  染料片  调Q  激光器
收稿时间:1995/11/26

Intracavity Doubling of a Q Switched Nd:S-VAP Laser Pumped by Xenon Flash Lamp
Abstract:By using xenon flash lamp as pump source, KTP as frequency doubling crystal and BDN dye film as passive Q switch, Nd:S VAP green laser generation at 0.5325 μm has been realized. The green laser output energy and pulse width were measured under the conditions of different resonator lengths and small signal transmission of dye film. The Q switching coupling wave rate equations for intracavity doubling are given and the experiment results are in agreement with the numerial solutions of the equations.
Keywords:Nd:S-VAP crystal  intracavity doubling  dye film Q-switch
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号