| 新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展（特邀） |
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| 引用本文： | 郑军,刘香全,李明明,等. 新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展（特邀）［J］.光子学报,2021,50（10）：1004002DOI：10.3788/gzxb20215010.1004002 |
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| 作者姓名： | 郑军 刘香全 李明明 刘智 左玉华 薛春来 成步文 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083;2.中国科学院大学 材料与光电研究中心, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组分增加,锗锡光电探测器往高响应度和长探测截止波长方向发展;锗锡激光器的研究则集中在降低激射阈值、提高激射温度和电泵浦方面。本文还对锗铅材料和光电器件的研究进展进行简要介绍和展望。随着硅基高效光源和探测器研究的不断深入,IV族合金材料在硅基红外光电集成领域将继续展现重要的应用价值。
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| 关 键 词： | 硅基光电子 锗锡 锗铅 探测器 激光器 |
| 收稿时间： | 2021-07-21 |
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