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| 热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜 | |
| 引用本文： | 戴文进,欧阳慧平.热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜[J].南昌大学学报(理科版),2005,29(2):173-175. |
| 作者姓名： | 戴文进 欧阳慧平 |
| 作者单位： | 南昌大学,信息工程学院,江西,南昌,330029;江西工业工程职业技术学院,江西,萍乡,337055 |
| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上，于较低的衬底温度(400℃)下，制备出良好结晶。经对样品进行的X射线衍射(XRD)，以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)检测，证实该沉积薄膜为立方碳化硅。原子力显微镜(AFM)测试结果表明，所获样品晶粒大小为纳米尺度。 |
| 关 键 词： | 立方碳化硅 纳米 热丝法CVD |
| 文章编号： | 1006-0464(2005)02-0173-03 |
| 修稿时间： | 2004年9月15日 |
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