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| 用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器 | |
| 引用本文： | 欧阳晓平,李真富,霍裕昆,宋献才.用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器[J].物理学报,2007(3). |
| 作者姓名： | 欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才 |
| 作者单位： | 清华大学工程物理系，西北核技术研究所，复旦大学现代物理研究所，中国工程物理研究院电子学研究所 北京100084西北核技术研究所，西安710024，西安710024，上海200433，绵阳621900 |
| 摘 要： | 采用电阻率为10000—20000Ω.cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为60mm,耗尽层厚度~1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要. |
| 关 键 词： | 大面积 电流型 半导体探测器 |
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