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高光束质量垂直腔面发射激光器同相耦合阵列
作者姓名:许坤  付林杰  钟发成  杜银霄  荀孟
作者单位:1.郑州航空工业管理学院 理学院, 河南 郑州 450046;2.中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
基金项目:国家自然科学基金(51472221);国家自然科学基金青年基金(61704156,11404291);河南省高等学校重点科研项目计划(17A510019);2017率先行动联合资助优秀博士后项目(Y7YBSH0001,Y7BSH14001)资助
摘    要:质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射,但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差,影响光束的质量。本文通过设计分离电极结构,使每个单元注入的电流得到分别的控制,实现了3单元三角排列阵列高光束质量同相耦合模式的激射。阵列远场发散角仅为3.4°,大约有25.6%的全部能量聚集在中心光斑。激射光谱的线宽为0.24nm,边模抑制比为27dB。该方法能够有效提高相干耦合阵列的光束质量,弥补制作工艺中引入的单元不均匀性,提高器件的可靠性和实用性。质子注入方法简单、成本低,能够成为制作高光束质量相干耦合阵列的一个重要方法。



关 键 词:质子注入  垂直腔面发射激光器  同相耦合
收稿时间:2017-10-21
修稿时间:2017-12-28
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