| 旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用 |
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| 作者姓名： | 钟云肖 周尚雄 姚日晖 蔡炜 朱镇南 魏靖林 徐海涛 宁洪龙 彭俊彪 |
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| 作者单位： | 1. 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室, 华南理工大学 材料科学与工程学院, 广东 广州 510640;
2. 华南农业大学 电子工程学院, 广东 广州 510642 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划专项（2016YFB0401504）;国家自然科学基金重大集成项目（U1601651）;973国家重点基础研究发展规划（2015CB655004）;广东省自然科学基金（2016A030313459）;广东省科技计划（2014B090915004,2015B090914003,2016A040403037,2016B090907001,2016B090906002）;中央高校基本科研业务费专项资金（2015ZP024,2015ZZ063）资助项目 |
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| 摘 要： | 采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响。当转速为5 000 r/min、退火温度为300℃时,制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性,粗糙度为0.7 nm,漏电流为3.13×10-5 A/cm2（电场强度1 MV/cm）。最终,利用ZrO2薄膜作为栅极绝缘层,在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管（IGZO-TFT）,其迁移率为6.5 cm2/（V·s）,开关比为2×104。
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| 关 键 词： | 氧化锆薄膜 溶液法 旋涂转速 退火温度 |
| 收稿时间： | 2017-06-12 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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