| 双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻 |
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| 引用本文： | 谢征微,李伯臧.双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻[J].中国科学A辑,2002,32(8):696-703. |
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| 作者姓名： | 谢征微 李伯臧 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心 ,北京 100080 ,中国;(2)四川师范大学物理系 ,成都 610068 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 10074075)和国家基础研究规划基金(批准号: G1999064509)资助项目 |
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| 摘 要： | 最近的一项理论估计指出, NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ, 此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体), 在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻(TMR). 针对磁电阻元件的研制和应用的需要, 计算了DSFJ的TMR和电导随偏压, FI厚度以及势垒高度的变化. 结果表明: 与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结(FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体)相比, DSFJ具有一个有利于应用的特点: 其TMR在具有甚高值的同时, 不随偏压的增大而单调地剧烈下降, 而是先缓慢升到一个峰值后再下降.
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| 关 键 词： | 双自旋过滤结 隧穿磁电阻 非零偏压 磁性隧道结 |
| 收稿时间： | 2001-12-31 |
| 修稿时间： | 2001年12月31 |
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