| 磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究 |
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| 引用本文： | 李静平, 方明, 贺洪波, 等. 磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2826-2830. doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826 |
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| 作者姓名： | 李静平 方明 贺洪波 邵建达 李朝阳 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院 上海光学精密机械研究所, 强激光材料重点实验室, 上海 201 800;;2.中国科学院 大学, 北京 1 00049;;3.中国工程物理研究院 上海激光等离子体所, 上海 201 800 |
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| 摘 要： | 采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程。在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象。Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的。物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因。不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型。
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| 关 键 词： | 应力释放 应力恢复 物理吸附 化学吸附 |
| 收稿时间： | 2013-03-11 |
| 修稿时间： | 2013-06-14 |
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