| MgS和MgSe带隙的GW近似修正 |
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| 引用本文： | 朱晓玲,张金平,程新路,郑勇林. MgS和MgSe带隙的GW近似修正[J]. 原子与分子物理学报, 2017, 34(2): 343-349 |
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| 作者姓名： | 朱晓玲 张金平 程新路 郑勇林 |
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| 作者单位： | 成都大学 信息科学与工程学院 |
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| 摘 要： | 应用基于密度泛函理论下的局域密度近似（DFT-LDA）方法研究了岩石矿结构的 MgS和MgSe的晶体结构和能带结构。本文得到稳定结构的晶格常数与已知实验数据相吻合，MgS和MgSe都是间接带隙半导体且带隙值分别为2.74 eV和1.70 eV。尽管本文利用LDA计算的带隙值与之前的理论值很接近，但是局域密度近似常常低估带隙值。因此应用准粒子GW（G是格林函数，W是库伦屏蔽相互作用）近似 对MgS和MgSe的带隙值进行了修正，其结果分别为4.15eV和2.74 eV。GW近似的结果应该是合适的值。
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| 关 键 词： | GW近似，MgS， MgSe，带隙 |
| 收稿时间： | 2016-09-14 |
| 修稿时间： | 2016-10-03 |
Band gap correction of MgS and MgSe in GW approximation |
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| Zhu Xiao-Ling,Zhang Jing-Ping,Cheng Xin-Lu and Zheng Yong-Lin. Band gap correction of MgS and MgSe in GW approximation[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2017, 34(2): 343-349 |
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| Authors: | Zhu Xiao-Ling Zhang Jing-Ping Cheng Xin-Lu Zheng Yong-Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GW approximation MgS MgSe band gap |
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