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| SiC单晶片的取向研磨 | |
| 作者姓名： | 赵树峰 陈治明 潘盼 王欢欢 |
| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
| 摘 要： | 优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5;之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm. |
| 关 键 词： | SiC单晶片 取向研磨 偏向晶片, |
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