| AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响 |
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| 引用本文： | 孔月婵,郑有炓,储荣明,顾书林.AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响[J].物理学报,2003,52(7). |
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| 作者姓名： | 孔月婵 郑有炓 储荣明 顾书林 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.
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| 关 键 词： | AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自发极化 压电极化 |
Influnce of Al-content on the property of the two-dimensional electron gases in AlxGa1-xN/GaN heterostructures |
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