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| 200kV／100kA低抖动环轨式场畸变开关性能 | |
| 引用本文： | 李洪涛,丁伯南,谢卫平,邓建军,王厚明,王玉娟,傅贞,秦卫东,任靖,孟维涛,龚德森,万步勇,戴英敏.200kV／100kA低抖动环轨式场畸变开关性能[J].工程物理研究院科技年报,2003(1):44-45. |
| 作者姓名： | 李洪涛 丁伯南 谢卫平 邓建军 王厚明 王玉娟 傅贞 秦卫东 任靖 孟维涛 龚德森 万步勇 戴英敏 |
| 摘 要： | 对充气场畸变开关导通过程的分析表明低抖动高压强流开关的触发时延及其抖动与流注形成和传播途径的平均电场强度存在密切关系，开关结构设计中应使触发脉冲峰到达时流注形成和传播途径上具有较高的平均电场强度。同时，为了提高开关的电流承载能力，有效地结合了匀场火花隙和轨道开关的设计概念，研制了环形轨道式场畸变开关。 |
| 关 键 词： | 充气场 畸变开关 触发时延 播途径 平均电场强度 核聚变工程 |
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