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| 量子阱微腔环型半导体激光器 | |
| 作者姓名： | 武胜利 王立军 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 长春 130021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国科学院院长基金,中国科学院留学基金,中国科学院重大资助 |
| 摘 要： | 报道了用纳米制作技术,实现了InGaAs/InGaAsP环型微腔激光器.激光器的直径为3μm～20μm,环的宽度为0.4μm～3μm,环的厚度为190nm.其激射峰值波长为1403nm. |
| 关 键 词： | 微腔激光器 量子阱 |
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