| 基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟 |
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| 引用本文： | 任驹,郭文阁,郑建邦.基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟[J].光子学报,2006,35(2):171-175. |
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| 作者姓名： | 任驹 郭文阁 郑建邦 |
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| 作者单位： | 任驹（西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安,710072）;郭文阁（西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安,710072）;郑建邦（西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安,710072） |
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| 基金项目： | 西北大学校科研和教改项目
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研究生资助项目 |
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| 摘 要： | 通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较.模型分析与实验测量的结果表明:等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流.仿真结果与实验测量结果一致.
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| 关 键 词： | P-N结 伏安特性 等效电路模型 太阳能电池 |
| 修稿时间： | 2004年12月30 |
Analysis and Simulation of Solar Cells' V-A Properties Based on P-N Junction |
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| Ren Ju,Guo Wenge,Zheng Jianbang.Analysis and Simulation of Solar Cells'''' V-A Properties Based on P-N Junction[J].Acta Photonica Sinica,2006,35(2):171-175. |
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| Authors: | Ren Ju Guo Wenge Zheng Jianbang |
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