| 纳米隧道结的量子电容现象 |
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| 引用本文： | 王兵,鲁山,杨金龙,侯建国,肖旭东. 纳米隧道结的量子电容现象[J]. 物理, 2002, 31(4): 200-202 |
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| 作者姓名： | 王兵 鲁山 杨金龙 侯建国 肖旭东 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学结构研究开放实验室,合肥,230026
2. 香港科学技术大学物理系,香港 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 36 ,10 0 740 59,1990 40 12 )资助项目 |
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| 摘 要： | 利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结，通过对单电子隧穿谱的测量，研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化，发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为，为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据。
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| 关 键 词： | 量子电容 纳米隧道结 单电子隧穿效应 半导体 量子力学 |
QUANTUM CAPACITANCE OF A NANOJUNCTION |
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| WANG Bing LU Shan YANG Jin-Long HOU Jian-Guo. QUANTUM CAPACITANCE OF A NANOJUNCTION[J]. Physics, 2002, 31(4): 200-202 |
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| Authors: | WANG Bing LU Shan YANG Jin-Long HOU Jian-Guo |
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| Abstract: | The capacitance of a nanojunction fromed by a scanning tunneling microscope (STM) tip and a two-dimensional gold cluster was measured through single electron tunneling spectroscopy of a double-barrier tunnel junction. By decreasing the STM tip-cluster separation, it was observed that the capacitance first increased and then decreased at short separation. This differs from classical behavior and provides evidence of quantum effects of the capacitance. |
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| Keywords: | quantum capacitance nanojunction single electron tunneling |
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