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| 静电对GaN基高压LED特性的影响 | |
| 引用本文： | 韩禹,郭伟玲,樊星,俞鑫,白俊雪. 静电对GaN基高压LED特性的影响[J]. 光子学报, 2014, 43(8): 823003 |
| 作者姓名： | 韩禹 郭伟玲 樊星 俞鑫 白俊雪 |
| 作者单位： | 韩禹:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 郭伟玲:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 樊星:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 俞鑫:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 白俊雪:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 |
| 基金项目： | 国家科技支撑计划 ( No.2011BAE01B14 )和国家自然科学基金(No.61107026 )资助 |
| 摘 要： | 对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1 000、-2 000、-3 000和-4 000V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5 000V和-6 000V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6 000V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效. |
| 关 键 词： | GaN 高压LED 静电放电 失效机理 光电特性 |
| 收稿时间： | 2013-12-03 |
Effects of Electrostatic-Discharge on GaN-Based High Voltage Light-Emitting Diode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | GaN High-voltage LED Electrostatic discharge Degradation mechanism Optical and electrical characteristics |
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