| 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究 |
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| 引用本文： | 王杰,俞根才,诸长生,王迅.宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究[J].物理学报,1995,44(9):1471-1479. |
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| 作者姓名： | 王杰 俞根才 诸长生 王迅 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 |
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| 摘 要： | 介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进
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| 收稿时间： | 1994-06-13 |
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