| 不同焙烧温度下Cr-P-SiO2催化剂表面特征的X射线光电子能谱的研究 |
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| 引用本文： | 李少羽,陈传正,康炳杰,陈骅.不同焙烧温度下Cr-P-SiO2催化剂表面特征的X射线光电子能谱的研究[J].催化学报,1981,2(4):257-267. |
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| 作者姓名： | 李少羽 陈传正 康炳杰 陈骅 |
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| 作者单位： | 吉林化学工业公司研究院
(李少羽，陈传正，廉秉杰)，吉林化学工业公司研究院(陈骅) |
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| 摘 要： | 用X射线光电子能谱(XPS)测定了五种铬化合物、六种磷化合物的2p光电子结合能值,记录了制备条件相同但焙烧温度不同的一系列P-SiO_2,Cr-SiO_2,Cr-P-SiO_2催化剂样品的XPS谱图。由这些谱图可以看出催化剂的Cr_(2p),P_(2p),O_(1s),Si_(2p)光电子峰结合能的变化和谱峰强度的变化与焙烧温度有关;在焙烧过程中,催化剂的活性组分铬由Cr(Ⅵ)变为Cr(Ⅲ),P_(2p),0_(1s),Si(2p)光电子峰的强度也发生变化。我们还观察到在X射线辐照下或Ar~+离子刻蚀下的催化剂中活性组分铬的还原现象。
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| 收稿时间： | 1981-12-25 |
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