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基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响
引用本文:王凤平,刘还平,吴平,潘礼庆,邱宏,田跃,罗胜.基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响[J].发光学报,2003,24(4):435-437.
作者姓名:王凤平  刘还平  吴平  潘礼庆  邱宏  田跃  罗胜
作者单位:北京科技大学,物理系,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金资助项目(19974005)
摘    要:用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明:随衬底温度的升高,晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小,而且增强了薄膜晶粒的111]择优取向。结果表明,薄膜电阻率显著减小,而磁电阻显著增大。

关 键 词:坡莫合金薄膜  结构  磁电阻  基片温度  磁控溅射
文章编号:1000-7032(2003)04-0435-03
修稿时间:2002年8月12日

Effect of Substrate Temperature on the Structure and Magnetoresistance of Permalloy Films
Abstract:
Keywords:permalloy film  magnetron sputtering  structure  magnetoresistance
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