| 0.5PZN-0.5PZT压电陶瓷拉曼散射研究 |
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| 作者姓名： | 常利民 侯育冬 朱满康 严辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学材料学院,北京,100022;北京工业大学材料学院,北京,100022;北京工业大学材料学院,北京,100022;北京工业大学材料学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市科技新星计划项目 |
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| 摘 要： | PZT基多元系压电陶瓷在三方相含量与四方相含量相等的准同型相界处(MPB)具有极为优异的压电性能。文章采用拉曼散射方法研究了0.5PZN-0.5PZT陶瓷体系中三方-四方相共存与弥散相变现象。研究发现,与纯PZT相比,0.5PZN-0.5PZT体系拉曼谱呈明显宽化特征,表明体系弛豫性较强,依据介温谱计算出弥散因子γ高达1.71。通过对拉曼谱峰进行Gauss函数拟合,定量计算三方相R1模式与四方相E(3TO)和A1(3TO)模式相对强度,以及四方相E(4LO)和A1(3LO)模式与三方相Rh模式相对强度,结果表明0.5PZN-0.5PZT体系三方相与四方相含量相等,组成位于准同型相界,该结果得到XRD相分析验证。电学测量表明0.5PZN-0.5PZT陶瓷压电性能优异：kp=0.66, d33=425 pC/N,适宜作为压电致动器材料使用。
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| 关 键 词： | 拉曼散射 相结构 压电性能 |
| 文章编号： | 1000-0593（2007）12-2472-03 |
| 收稿时间： | 2006-09-08 |
| 修稿时间： | 2006-12-25 |
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