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多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究
引用本文:李军,谭正,糜天英,孙公权.多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究[J].化学学报,1992(8).
作者姓名:李军  谭正  糜天英  孙公权
作者单位:中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所 长春 130022 现在天津电源研究所,长春 130022,长春 130022,长春 130022
基金项目:国家自然科学基金资助的项目
摘    要:测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力.

关 键 词:汞镉碲  界面科学  光电化学
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